Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V - BD441

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V - BD441
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V - BD441. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-32. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Resistor B: transistor de potência NPN . BE diodo: NPN. Resistor BE: 80V. C (pol.): 4A. Custo): 36W. Diodo CE: 3MHz. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Quantidade em estoque atualizada em 11/06/2025, 08:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. Custo): 15W
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