Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V - BD243C-CDIL

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V - BD243C-CDIL
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V - BD243C-CDIL. Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 15:25.

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Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V
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Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP42C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP42C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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