Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V - BC547A

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V - BC547A
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V - BC547A. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC557A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 15:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC547B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC557B
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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