Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227

Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 3.91€ 4.81€
5 - 9 3.71€ 4.56€
10 - 24 3.52€ 4.33€
25 - 49 3.32€ 4.08€
50 - 72 3.25€ 4.00€
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5 - 9 3.71€ 4.56€
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Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227. Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 19.7m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4600pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 260A. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 21:25.

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Transistor de canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T...
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Transistor de canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 670pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 56A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
IRF530
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Transistor de canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 610pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 320 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 18A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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