Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS
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Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS. Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 0.5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante Diotec Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/07/2025, 13:25.

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Transistor de canal N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Carcaça: TO-92. DI (T=25°C): 0.5A....
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Transistor de canal N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Carcaça: TO-92. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. C (pol.): 24pF. Custo): 40pF. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1.2A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: BS170. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, Pequenos sinais. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V
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Transistor de canal N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Carcaça: TO-92. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. C (pol.): 24pF. Custo): 40pF. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1.2A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: BS170. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, Pequenos sinais. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V
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Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (m...
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Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 0.5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V
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Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 0.5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V
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