Diodos Zener

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 85 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 4uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 85 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.6V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 85 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 33V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.3V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 75 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 47V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 36V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 110 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 35 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Equivalentes: BZV55-C5V1.115. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 5.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.8V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 3V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 8 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. VRRM: 6.2V. Tensão Zener: 6.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 8.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 10V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 11V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 12V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 13V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 15V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 16V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 18V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 20V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 22V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 24V