Diodos Zener

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 5.1V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Equivalentes: BZV55-C5V1.115. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.2V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.8V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 3V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 8 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 6.2V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. VRRM: 6.2V

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 8.2V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80C. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 10V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 11V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 12V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 13V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 15V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 16V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 18V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 20V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 22V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 24V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 27V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: PHILIPS--BZV85-C27. Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 2.7V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 33V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 36V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N4753A. Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 39V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 3V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Corrente direta (AV): 360mA. Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -55...+175°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 3.3V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%