Função: Comutação eficiente de MOSFET e IGBT . Nota: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers. Nota: alta velocidade. Nota: tr 9ns, tf 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v). Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -40...+125°C. VCC: 4.5...35V. Tensão de alimentação: 40V