Controlo MOSFET

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Número de circuitos: 2. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Número de circuitos: 2. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Número de circuitos: 1. Tensão mínima de alimentação (V): +7V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C

RoHS: sim. Número de circuitos: 1. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Nota: alta velocidade. Nota: Non Inverting. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: 0...+70°C

Nota: alta velocidade. Nota: Non Inverting. RoHS: sim. Temperatura operacional: -40...+85°C

Nota: alta velocidade. Nota: Non Inverting. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -40...+85°C

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado analógico. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Número de circuitos: 1. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C

Nota: alta velocidade. Nota: Non Inverting. RoHS: sim. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

Função: 3A Dual MOSFET Driver, Inverting. Nota: alta velocidade. Nota: Dual Inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: PDIP. Habitação (conforme ficha técnica): 300k Ohms. Temperatura operacional: 0...+70°C

Função: Driver MOSFET duplo 3A, alta velocidade. Nota: Dual Non Inverting. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

RoHS: sim. Número de circuitos: 2. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Nota: alta velocidade. Nota: Dual Non Inverting. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: PDIP. Habitação (conforme ficha técnica): 300k Ohms. Temperatura operacional: -40...+85°C

Nota: alta velocidade. Nota: Inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: PDIP. Habitação (conforme ficha técnica): 300k Ohms. Temperatura operacional: -40...+85°C

Nota: alta velocidade. Nota: Inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SOIC-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

Nota: alta velocidade. Nota: Non Inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

Condicionamento: tubo de plástico. Nota: alta velocidade. Nota: Non Inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: MSOP. Habitação (conforme ficha técnica): MSOP-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. Nota: alta velocidade. Nota: Non Inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SOIC-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

Nota: alta velocidade. Nota: inverting/Non inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

Nota: alta velocidade. Nota: inverting/Non inverting. Equivalentes: TC4428ACPA (0...+70°C). Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

RoHS: sim. Número de circuitos: 1. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Nota: alta velocidade. Nota: Inverting. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: 0...+70°C

Nota: alta velocidade. Nota: Inverting. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -40...+85°C

Função: 1 x MOSFET Gate Driver. Nota: Inverting. Nota: alta velocidade. Nota: délais courts < 78ns. Nota: 4kV protegido contra ESD. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 470mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: 0...+70°C. VCC: 4.5...30V. Tensão de alimentação: 36V

RoHS: sim. Número de terminais: 5. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Número de circuitos: 1. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C. Função: Driver de energia MOSFET. Número de terminais: 5. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-5

Nota: corrente de saída de pico 1,2A. Número de terminais: 14. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-14. VCC: 4.5...18V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO16W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 16. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Número de circuitos: 4. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C

Nota: corrente de saída de pico 1,2A. Número de terminais: 14. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-14. VCC: 4.5...18V