Função: 1 x MOSFET Gate Driver. Nota: Inverting. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 470mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: 0...+70°C. VCC: 4.5...30V. Tensão de alimentação: 36V. Nota: 4kV protegido contra ESD. Nota: alta velocidade. Nota: délais courts < 78ns