Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK3565

2SK3565
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2SK3565. C (pol.): 1150pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 15A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K3565. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

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C (pol.): 1200pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 15A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Alta velocidade, comutação de alta tensão, conversores DC/DC. Proteção GS: sim
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C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK90ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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