Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 120V - 2SC2235-Y

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 120V - 2SC2235-Y
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 120V - 2SC2235-Y. Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 120V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C2235 Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 15/06/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Marcação na caixa: C2383 Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1013. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Marcação na caixa: C2383 Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1013. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V
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