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Vishay
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET 12V 6A SOT-23
Referência do produto : SI2333DDS-T1-GE3
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Especificações técnicas
5 parâmetros| Parâmetro | Valor |
| Tensão Vdss máxima | 12V |
| Corrente Id máxima | 6A |
| Resistência Rds-on | 0.023Ohm |
| Parâmetro (Package) | SOT-23 |
Descrição técnica do produto (SI2333DDS-T1-GE3):
O SI2333DDS-T1-GE3 é um MOSFET de canal P de alto desempenho da Vishay num invólucro SOT-23. As aplicações típicas incluem gestão de energia, comutação de carga, proteção de bateria e conversores DC-DC. Manufacturer info: SI2333DDS-T1-GE3 - 12V 6A 1.7W Rds=0.023Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY.