Vários circuitos de memória

Função: Memória EEPROM 16Kbit. Nota: high speed clock. Nota: 4.5V...5.5V max 20MHz. Nota: 2.5V...5.5V max 10MHz. Nota: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Spec info: 1.000.000 de ciclos de gravação, 100 anos de retenção de dados. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V

Série: n/a. Tipo de memória: FLASH - NOR. Interface: SPI. Frequência do relógio: n/a. Tempo de acesso: 900ns. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SO8. Informação: n/a. MSL: n/a

Função: OTP-EPROM. Número de terminais: 28. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm). Temperatura operacional: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Série: n/a. Tipo de memória: FLASH - NOR. Interface: SPI. Frequência do relógio: n/a. Tempo de acesso: 200ns. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SO8. Informação: n/a. MSL: n/a

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8-208mil. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tipo de memória: Flash, serial. Família de circuitos de memória: DataFlash . Tamanho da memória [byte]: 16Mbit. Configuração de memória: 4096 page x 528 byte. Sinal de clock máximo (MHz): 85 MHz. Tipo de interface: interface serial, barramento SPI . Tensão mínima de alimentação (V): +2.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +3.6V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

Série: n/a. Tipo de memória: FLASH - NOR. Interface: SPI. Frequência do relógio: n/a. Tempo de acesso: 200ns. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SO8. Informação: n/a. MSL: n/a

Condicionamento: tubo de plástico. Marcação na caixa: 93C46P. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marcação na caixa: 24C164LI. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marcação na caixa: 24C64F. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marcação na caixa: 24C64F. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: SRAM. Série: CMOS

Função: Memória RAM estática de 2K x 8 CMOS. Spec info: 120ns access time. Alimentação de tensão: 5V

Série: n/a. Tipo de memória: SRAM - Asynchronous. Interface: Paralela. Frequência do relógio: n/a. Tempo de acesso: 45ns. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Alimentação de tensão: 4.5-5.5V. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SOP32. Informação: n/a. MSL: n/a

Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 11. Nota: CMOS de baixo consumo. Nota: Com bateria reserva. Número de terminais: 32. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-32. Temperatura operacional: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tensão de alimentação: 6V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tipo de memória: SRAM +RTC. Família de circuitos de memória: DS13. Tamanho da memória [byte]: 64 Byte. Configuração de memória: 64x8-bit. Sinal de clock máximo (MHz): 100kHz. Tipo de interface: interface serial, barramento I2C. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP16. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 16. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento serial. Família de circuitos de memória: DS24. Tamanho da memória [byte]: 4 Kbit. Configuração de memória: 16x256-bit. Sinal de clock máximo (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de interface: interface serial, 1 fio / 3 fios . Tensão mínima de alimentação (V): +2.8V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO16W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 16. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento serial. Família de circuitos de memória: DS24. Tamanho da memória [byte]: 4 Kbit. Configuração de memória: 16x256-bit. Sinal de clock máximo (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de interface: interface serial, 1 fio / 3 fios . Tensão mínima de alimentação (V): +2.8V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8

Nota: SAMSUNG TXT. Nota: CMOS S-RAM. Carcaça: DIP

Série: n/a. Tipo de memória: FRAM. Interface: I2C. Frequência do relógio: n/a. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Alimentação de tensão: 4.5-5.5V. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SO8. Informação: n/a. MSL: n/a

Série: n/a. Tipo de memória: FRAM. Interface: I2C. Frequência do relógio: n/a. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Alimentação de tensão: 4.5-5.5V. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SO8. Informação: n/a. MSL: n/a

Série: n/a. Tipo de memória: FRAM. Tamanho da memória: 64Kbit (8Kx8). Interface: I2C. Frequência do relógio: n/a. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Alimentação de tensão: 4.5-5.5V. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SO8. Informação: n/a. MSL: n/a

Série: n/a. Tipo de memória: FRAM. Tamanho da memória: 64Kbit (8Kx8). Interface: I2C. Frequência do relógio: n/a. Escreva o tempo do ciclo: n/a. Alimentação de tensão: 4.5-5.5V. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de montagem: SMD. Carcaça: SO8. Informação: n/a. MSL: n/a