Vários circuitos de memória

Número de terminais: 28. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-28

Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8

Função: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Marcação na caixa: 2DC. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8 ( 8S1 ). Temperatura operacional: -40...+85°C. VCC: 1.7...5.5V. Tensão de alimentação: 6.25V. Nota: 1000000 Cycles (25°C, Page Mode, 3.3V). Nota: fSCL--1.7V 400KHz, 2.5-5.5V 1MHz. Nota: mantém dados por 40 anos

Função: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8 ( 8S1 ). Temperatura operacional: -40...+85°C. VCC: 1.7...3.6V. Spec info: 64kx8bit I2C

Função: Memória EEPROM 16Kbit. Nota: high speed clock. Nota: 4.5V...5.5V max 20MHz. Nota: 2.5V...5.5V max 10MHz. Nota: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V. Spec info: 1.000.000 de ciclos de gravação, 100 anos de retenção de dados

Função: OTP-EPROM. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Temperatura operacional: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Número de terminais: 28. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm)

Condicionamento: tubo de plástico. Marcação na caixa: 93C46P. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Marcação na caixa: 24C164LI. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Marcação na caixa: 24C64F. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Marcação na caixa: 24C64F. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Nota: SRAM. Série: CMOS

Alimentação de tensão: 5V. Função: Memória RAM estática de 2K x 8 CMOS. Spec info: 120ns access time

Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 11. Número de terminais: 32. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-32. Temperatura operacional: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tensão de alimentação: 6V. Nota: CMOS de baixo consumo. Nota: Com bateria reserva

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tipo de memória: SRAM +RTC. Família de circuitos de memória: DS13. Tamanho da memória [byte]: 64 Byte. Configuração de memória: 64x8-bit. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 100kHz. Tipo de interface: interface serial, barramento I2C. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP16. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 16. Família de circuitos de memória: DS24. Tamanho da memória [byte]: 4 Kbit. Configuração de memória: 16x256-bit. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento serial. Tipo de interface: interface serial, 1 fio / 3 fios . Tensão mínima de alimentação (V): +2.8V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO16W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 16. Família de circuitos de memória: DS24. Tamanho da memória [byte]: 4 Kbit. Configuração de memória: 16x256-bit. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento serial. Tipo de interface: interface serial, 1 fio / 3 fios . Tensão mínima de alimentação (V): +2.8V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8

Nota: SAMSUNG TXT. Nota: CMOS S-RAM. Carcaça: DIP

Função: Memória. Número de terminais: 8:1. Tipo de memória: NOR Flash. Memória de armazenamento do programa: 1Mbit. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Série: memória FLASH . Fonte de alimentação: 2.7...3.6V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SOP8. Frequência de operação: 80MHz. Temperatura operacional: -40...85°C. Entradas/saídas: Dual I/O, SPI

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PLCC32. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Tipo de memória: FIFO. Família de circuitos de memória: 72. Tamanho da memória [byte]: 512x9-bit. Configuração de memória: 512x9-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 35 ns. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PLCC32. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Tipo de memória: Dualport RAM. Família de circuitos de memória: 72. Tamanho da memória [byte]: 32K x 9-bit. Configuração de memória: 32K x 9-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 25 ns. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

Marcação na caixa: IS62C256AL. Número de terminais: 28. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-28. Temperatura operacional: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO16. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 16. Tipo de memória: Memória analógica para gravação de áudio. Família de circuitos de memória: ISD. Tamanho da memória [byte]: 32 sec. Configuração de memória: 1 x 32s. Tipo de interface: I/O-pin. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 12kHz. Tensão mínima de alimentação (V): +2.4V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V