Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005. Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: 13005A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: 13005A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS
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MJE13007

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (...
MJE13007
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. Spec info: TO-220. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. Spec info: TO-220. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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