Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC414C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC414C
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC414C. Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 15:25.

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Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): +150°C. Equivalentes: BC550CG, BC550CBU. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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