Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor IGBT HGTG20N60A4

Transistor IGBT HGTG20N60A4
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Transistor IGBT HGTG20N60A4. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N60A4. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 73 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 7V. Dissipação máxima Ptot [W]: 290W. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 19/04/2025, 16:25.

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Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: SMPS Series IGBT. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 240A. Marcação na caixa: G30N60A4. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 463W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS
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