Transistor de canal P IRF9953, SO8. Carcaça: SO8. Cobrar: 6.1nC. Corrente de drenagem: -2.3A. Montagem/instalação: SMD. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Resistência térmica: 62.5K/W. RoHS: sim. Tensão da fonte de drenagem: -30V. Tensão de fonte de porta: 20V. Produto original do fabricante: Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 09/09/2025, 15:10