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Infineon (irf)
Transistor de canal P IRF9953, SO8
Referência do produto : IRF9953
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Descrição técnica do produto (IRF9953):
Transistor de canal P IRF9953, SO8. Carcaça: SO8. Cobrar: 6.1nC. Corrente de drenagem: -2.3A. Montagem/instalação: SMD. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Resistência térmica: 62.5K/W. RoHS: sim. Tensão da fonte de drenagem: -30V. Tensão de fonte de porta: 20V