Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.19€ | 1.46€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.39€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.24€ |
50 - 77 | 0.99€ | 1.22€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.19€ | 1.46€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.39€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.24€ |
50 - 77 | 0.99€ | 1.22€ |
Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ34N. Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 29A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 700pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 100A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 31 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 09:25.
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