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Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF

Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF
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3 - 4 4.29€ 5.28€
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Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF. Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. RoHS: sim. C (pol.): 3100pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 80A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 04:25.

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Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20...
2SK1170
Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Proteção GS: sim
2SK1170
Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Proteção GS: sim
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