Transistor de canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 7.9A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1800pF. Custo): 245pF. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Função: Velocidade de comutação rápida. IDss (min): 1uA. Id(im): 50A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 28/08/2025, 22:03