STMicroelectronics STW43NM60ND MOSFET de Potência Canal N 600V 35A 0.075Ω TO-247 MDmesh II

Descrição técnica do produto (STW43NM60ND):

Tensão Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 35A. ID (T=100°C): 22A. Resistência em condução Rds(on): 0.075 Ohms. Invólucro: TO-247. RoHS: sim. Informação específica: Baixa resistência de entrada de gate. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: Montagem em furo passante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Baixa capacitância de entrada e carga de gate. Tecnologia: MDmesh II. Temperatura máxima: +150°C. Proteção G-S: não. Td(off): 120ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 30ns. Quantidade por invólucro: 1. Id(imp): 140A. Marcação no invólucro: 43NM60ND. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 4300pF. C(out): 250pF. Trr Diodo (Mín.): 190ns. Pd (Dissipação de Potência, Máx): 255W. Proteção dreno-fonte: diodo zener. Tensão gate/fonte Vgs: 25V.