Stmicroelectronics STP20NM60FD MOSFET de Potência FDmesh™ Canal N, 600V, 20A, 0,26 Ohm Rds(on), TO-2

Descrição técnica do produto (STP20NM60FD):

MOSFET de Potência FDmesh™ Canal N com tecnologia de diodo rápido. Tensão máxima dreno-fonte Vds 600V, corrente de dreno contínua ID 20A (a 25°C) e resistência de condução Rds(on) 0,26 Ohms. Encapsulamento TO-220AB para montagem em furo passante em PCB. Características: baixa capacitância de porta e uma dissipação de potência máxima de 192W. Em conformidade com RoHS. Temperatura de operação até +150°C.