STMicroelectronics STP14NF12 MOSFET de Potência STripFET II Canal N, 120V, 14A, TO-220

Descrição técnica do produto (STP14NF12):

Tensão Drain-Source Vds(max): 120V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (máx): 10uA. Corrente de Dreno Id (T=25°C): 14A. Corrente de Dreno Id (T=100°C): 9A. Resistência em Condução Rds On: 0.16 Ohms. Encapsulamento (conforme folha de dados): TO-220. Encapsulamento: TO-220. Montagem/Instalação: Montagem em furo para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Baixa carga de entrada. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Proteção Gate-Source: não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 32 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (min): 1uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 16 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 56A. Marcação no encapsulamento: P14NF12. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitância de Entrada C (in): 460pF. Capacitância de Saída C (out): 70pF. Dissipação Máxima de Potência: 60W. Proteção Drain-Source: sim. Tensão Gate-Source Vgs: 20V. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 4V