RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V

RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V

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RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V. Carcaça: TO-220. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubus. Corrente de pulso máx.: 100A. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Dirigindo corrente: 16A. Espessura do dissipador de calor: max 1.4mm. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Diodo hiper rápido. Número de terminais: 2. Potência: 75W. Propriedades do semicondutor: comutação ultra-rápida. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 100uA. RM (máx.): 500uA. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão direta Vf (min): 2.6V. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão reversa máxima: 1.2kV. Tipo de diodo: diodo retificador. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 22:14

Documentação técnica (PDF)
RHRP8120
30 parâmetros
Carcaça
TO-220
Corrente direta (AV)
8A
IFSM
100A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AC
VRRM
1200V
Cj
25pF
Condicionamento
tubus
Corrente de pulso máx.
100A
Diodo Trr (mín.)
55 ns
Dirigindo corrente
16A
Espessura do dissipador de calor
max 1.4mm
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
Diodo hiper rápido
Número de terminais
2
Potência
75W
Propriedades do semicondutor
comutação ultra-rápida
Quantidade por caixa
1
RM (min)
100uA
RM (máx.)
500uA
RoHS
sim
Spec info
Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)
Temperatura operacional
-65...+175°C
Tensão direta Vf (min)
2.6V
Tensão limite Vf (máx.)
3.2V
Tensão reversa máxima
1.2kV
Tipo de diodo
diodo retificador
Produto original do fabricante
Fairchild