Philips Semiconductors PSMN035-150P N-MOSFET 150V 50A 30mOhm TO-220

Descrição técnica do produto (PSMN035-150P):

Tensão Vds(max): 150V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 50A. ID (T=100°C): 36A. Resistência de condução Rds On: 30 miliohms. Invólucro (de acordo com a folha de dados): TO-220AB (SOT78). Invólucro: TO-220. RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+175°C. Info. espec.: IDM--200A (Tmb 25°C pulsado). Número de terminais: 3. Montagem/instalação: Montagem em furo passante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Tecnologia: Transistor de efeito de campo de modo de enriquecimento. Proteção G-S: não. Td(off): 79 ns. IDss (min): 0.05uA. Td(on): 25 ns. Quantidade por invólucro: 1. Id(imp): 200A. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 4720pF. C(out): 456pF. Trr Diodo (Mín.): 118 ns. Pd (Dissipação de potência, máx): 250W. Acondicionamento: tubo de plástico. Proteção dreno-fonte: diodo. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Unidade de acondicionamento: 50