Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
Optoelectrônica
Optoacopladores

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CNY17F-1

CNY17F-1

CTR: CRT 40-80%. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 7.62mm. Montagem/ins...
CNY17F-1
CTR: CRT 40-80%. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 4300V
CNY17F-1
CTR: CRT 40-80%. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 4300V
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CNY17F-2

CNY17F-2

CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A, (t < 10us). Potência do diodo: 0.1W...
CNY17F-2
CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A, (t < 10us). Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.39...1.65V. Função: OCTOCOUPLER DC-IN 1-CH TRANSISTOR DC-OUT NON MPQ. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vrms: 5300V
CNY17F-2
CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A, (t < 10us). Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.39...1.65V. Função: OCTOCOUPLER DC-IN 1-CH TRANSISTOR DC-OUT NON MPQ. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vrms: 5300V
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CNY17F-2-6

CNY17F-2-6

CTR: 63...125 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 10.16mm. RoHS: sim. ...
CNY17F-2-6
CTR: 63...125 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 10.16mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 5300V
CNY17F-2-6
CTR: 63...125 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 10.16mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 5300V
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CNY17F-3

CNY17F-3

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configura...
CNY17F-3
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 4.3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 23us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1.25V
CNY17F-3
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 4.3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 23us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1.25V
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CNY17F-3-6

CNY17F-3-6

CTR: 100...200 %. Marcação na caixa: CNY17F-3. Saída: saída de transistor . Número de terminais...
CNY17F-3-6
CTR: 100...200 %. Marcação na caixa: CNY17F-3. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Vrms: 5300V
CNY17F-3-6
CTR: 100...200 %. Marcação na caixa: CNY17F-3. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Vrms: 5300V
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CNY17F-3X006

CNY17F-3X006

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6 400 mil. C...
CNY17F-3X006
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6 400 mil. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 4.3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 23us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
CNY17F-3X006
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6 400 mil. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 4.3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 23us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
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CNY64

CNY64

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP14/4 400 mil...
CNY64
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP14/4 400 mil. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: acoplador óptico, alta tensão. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 8.2 kV. Taxa: 50 %. Tensão máxima de saída (V): 32V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 25us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 42us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1.25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. VECO: 7V. VRRM: 8200V
CNY64
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP14/4 400 mil. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: acoplador óptico, alta tensão. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 8.2 kV. Taxa: 50 %. Tensão máxima de saída (V): 32V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 25us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 42us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1.25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. VECO: 7V. VRRM: 8200V
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CNY65

CNY65

CTR: 50...300 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Passo: 15.24...
CNY65
CTR: 50...300 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Passo: 15.24mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4 HV. Vrms: 8200V
CNY65
CTR: 50...300 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Passo: 15.24mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4 HV. Vrms: 8200V
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CNY74-2H

CNY74-2H

RoHS: sim. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diodo SE: 60mA....
CNY74-2H
RoHS: sim. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 1.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 8:1. Passo: 2.54mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Tr: 3us. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V
CNY74-2H
RoHS: sim. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 1.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 8:1. Passo: 2.54mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Tr: 3us. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V
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CNY74-4H

CNY74-4H

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. CTR: 50-600 %. Saída: saída de...
CNY74-4H
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. CTR: 50-600 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 16. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-16. Tr: 3us. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5 kV
CNY74-4H
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. CTR: 50-600 %. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 16. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-16. Tr: 3us. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5 kV
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2.09€ IVA incl.
(1.70€ sem IVA)
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CNY75A

CNY75A

CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limi...
CNY75A
CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 2.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 2us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
CNY75A
CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 2.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 2us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
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0.70€ IVA incl.
(0.57€ sem IVA)
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CNY75B

CNY75B

RoHS: NINCS. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configu...
CNY75B
RoHS: NINCS. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 30 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 1mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 16.5us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 20us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
CNY75B
RoHS: NINCS. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 30 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 1mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 16.5us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 20us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
Conjunto de 1
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CNY75C

CNY75C

CTR: 160...320 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão lim...
CNY75C
CTR: 160...320 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
CNY75C
CTR: 160...320 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
Conjunto de 1
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(0.58€ sem IVA)
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CNY75GA

CNY75GA

CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limi...
CNY75GA
CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 2.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 2.5us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
CNY75GA
CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 2.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 2.5us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
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(0.55€ sem IVA)
0.68€
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CNY75GB

CNY75GB

CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão lim...
CNY75GB
CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
CNY75GB
CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V
Conjunto de 1
0.73€ IVA incl.
(0.59€ sem IVA)
0.73€
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CQY80N

CQY80N

CTR: 50...90 %. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Saída: saída de transistor ...
CQY80N
CTR: 50...90 %. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Spec info: DC-OUT. Passo: 7.56mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 3700V
CQY80N
CTR: 50...90 %. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Spec info: DC-OUT. Passo: 7.56mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 3700V
Conjunto de 1
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(0.58€ sem IVA)
0.71€
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CQY80NG

CQY80NG

CTR: 50...90 %. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Data de produção: 2014/38. ...
CQY80NG
CTR: 50...90 %. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Data de produção: 2014/38. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 10.16mm. RoHS: sim. Spec info: DC-OUT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 5.3 kV
CQY80NG
CTR: 50...90 %. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Data de produção: 2014/38. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 10.16mm. RoHS: sim. Spec info: DC-OUT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 5.3 kV
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EL3041

EL3041

Função: Zero-Cross Optoisolators Triac Driver Output. Saída: saída triac . Número de terminais:...
EL3041
Função: Zero-Cross Optoisolators Triac Driver Output. Saída: saída triac . Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Spec info: 400V Peak, Ift 15mA max. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -40...+85°C. VDRM: 400V. VRRM: 5000V
EL3041
Função: Zero-Cross Optoisolators Triac Driver Output. Saída: saída triac . Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Spec info: 400V Peak, Ift 15mA max. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -40...+85°C. VDRM: 400V. VRRM: 5000V
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EL817-C

EL817-C

CTR: 200...400 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão lim...
EL817-C
CTR: 200...400 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.2...1.4V. FT: 18us. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 18us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -55...+110°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V
EL817-C
CTR: 200...400 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.2...1.4V. FT: 18us. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 18us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -55...+110°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V
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FOD817

FOD817

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configura...
FOD817
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 50 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 5mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
FOD817
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 50 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 5mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
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FOD817A

FOD817A

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configura...
FOD817A
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 80 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 5mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
FOD817A
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 80 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 5mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +110°C
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H11AA1

H11AA1

CTR: 50 %. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim....
H11AA1
CTR: 50 %. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Spec info: entrada bidirecional. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VRRM: 5300V
H11AA1
CTR: 50 %. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Spec info: entrada bidirecional. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VRRM: 5300V
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H11AA1M

H11AA1M

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configura...
H11AA1M
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, entrada AC. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho antiparalelo. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 2.5 kV. Taxa: 20 %. Tensão máxima de saída (V): 100V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C
H11AA1M
RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, entrada AC. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho antiparalelo. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 2.5 kV. Taxa: 20 %. Tensão máxima de saída (V): 100V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C
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H11AV1A

H11AV1A

CTR: 100...300 %. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 10.5mm. Pas...
H11AV1A
CTR: 100...300 %. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 10.5mm. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 7500V
H11AV1A
CTR: 100...300 %. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 6. Passo: 10.5mm. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. VRRM: 7500V
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H11F1M

H11F1M

RoHS: sim. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tensão máxima de saída (V): ±30V. Corrente d...
H11F1M
RoHS: sim. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tensão máxima de saída (V): ±30V. Corrente de entrada nominal (mA): 16mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 45us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 45us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Função: Optoacoplador de saída FET. Nota: R4-6 200 Ohms, VB4-6 30V. Saída: Saída FET. Número de terminais: 6. Spec info: fototransistor com saída FET, isolamento 7500VAC/1s. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -40...+100°C. VRRM: 5300V
H11F1M
RoHS: sim. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tensão máxima de saída (V): ±30V. Corrente de entrada nominal (mA): 16mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 45us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 45us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Função: Optoacoplador de saída FET. Nota: R4-6 200 Ohms, VB4-6 30V. Saída: Saída FET. Número de terminais: 6. Spec info: fototransistor com saída FET, isolamento 7500VAC/1s. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -40...+100°C. VRRM: 5300V
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