CNY75GB

CNY75GB. CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.25V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 4.7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura operacional: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Número de terminais: 6. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 05:25.