CNY75C

CNY75C

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.57€
5-24
0.45€
25-49
0.39€
50-99
0.34€
100+
0.24€
Quantidade em estoque: 195

CNY75C. CTR: 160...320 %. Carcaça: DIP. Corrente do coletor: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Diodo SE: 60mA. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Ic(pulso): 100mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Passo: 7.62mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 70mW. Potência do diodo: 70mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor com base. Temperatura operacional: -55...+110°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Tensão limite do diodo: 1.25V. Tf (tipo): 4.7us. Tr: 4.2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:30

Documentação técnica (PDF)
CNY75C
25 parâmetros
CTR
160...320 %
Carcaça
DIP
Corrente do coletor
50mA
Diodo FI Courant (pico)
3A
Diodo SE
60mA
Função
Saída fototransistor, com conexão de base
Habitação (conforme ficha técnica)
DIP-6
Ic(pulso)
100mA
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
6
Passo
7.62mm
Pd (dissipação de energia, máx.)
70mW
Potência do diodo
70mW
RoHS
sim
Saída
saída de transistor com base
Temperatura operacional
-55...+110°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão do coletor/emissor Vceo
70V
Tensão limite do diodo
1.25V
Tf (tipo)
4.7us
Tr
4.2us
VECO
7V
VRRM
6000V
Vcbo
70V
Produto original do fabricante
Vishay