EL817-C
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.27€ | 0.33€ |
| 10 - 24 | 0.26€ | 0.32€ |
| 25 - 49 | 0.24€ | 0.30€ |
| 50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
| 100 - 130 | 0.22€ | 0.27€ |
| Quantidade | U.P | |
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| 1 - 9 | 0.27€ | 0.33€ |
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EL817-C. CTR: 200...400 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.2...1.4V. FT: 18us. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 18us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -55...+110°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.
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CTR: 200...400 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 70mW. Tensão lim...
CTR: 200...400 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 3us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Spec info: Vceo 80V
CTR: 200...400 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 3us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Spec info: Vceo 80V
LTV817C
CTR: 200...400 %. Diodo SE: 50mA. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente ...
CTR: 200...400 %. Diodo SE: 50mA. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 3us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura operacional: -30...+110°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. VECO: 6V. Vrms: 5000V
CTR: 200...400 %. Diodo SE: 50mA. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 3us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura operacional: -30...+110°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. VECO: 6V. Vrms: 5000V
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