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ON Semiconductor TIG056BF-1E IGBT Canal N 430V 240A TO-220FP

Referência do produto : TIG056BF-1E
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Descrição técnica do produto (TIG056BF-1E):

Tensão coletor/emissor Vceo: 430V. Invólucro (de acordo com a folha de dados): TO-220F-3FS. Invólucro: TO-220FP. Diodo de Germânio: Supressor. RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+150°C. Diversos: flash, controle de estroboscópio. Informação de especificação: High speed fall time--tf=270nS (typ). Diodo CE: não. Número de conexões: 3. Montagem/instalação: montagem através de orifício para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Função: Baixa tensão de saturação, comutação de ultra alta velocidade. Tecnologia: Enhancement type. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Tensão de saturação VCE(sat): 3.6V. Ic(puls): 240A. C (in): 5500pF. Tensão gate - emissor VGE: 33V. C (out): 100pF. Dissipação de potência máxima: 30W. Tensão de saturação máxima VCE(sat): 5V. Tensão gate - emissor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensão gate - emissor VGE(th) máx.: 5V. Corrente de coletor: 240A.