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IXYS

IXYS IXGR40N60B2D1 P-Channel MOSFET 600V 60A n/a

Referência do produto : IXGR40N60B2D1
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Especificações técnicas

5 parâmetros
ParâmetroValor
Tensão Vdss máxima600V
Corrente Id máxima60A
Resistência Rds-onn/a
Parâmetro (Package)n/a

Descrição técnica do produto (IXGR40N60B2D1):

O IXGR40N60B2D1 é um MOSFET de canal P de alto desempenho da IXYS num invólucro n/a. As aplicações típicas incluem gestão de energia, comutação de carga, proteção de bateria e conversores DC-DC. Manufacturer info: IXGR40N60B2D1 N-IGBT+D 600V 60A 167W Vce(sat)1.9V.