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Transistor de canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730-ST

Transistor de canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730-ST
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Transistor de canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730-ST. Transistor de canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 530pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 280 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NO. Id(im): 22A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: V-MOS. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/06/2025, 12:25.

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Transistor de canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 400V. RoHS: sim. C (pol.): 700pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 22A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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