International Rectifier IRF450 MOSFET de Potência HEXFET de Canal N 500V 12A 0.4 Ohm TO-3

Descrição técnica do produto (IRF450):

Tensão Vds(max): 500V. Idss (máx.): 250uA. Id (T=25°C): 12A. Id (T=100°C): 7.75A. Resistência de condução Rds On: 0.4 Ohm. Invólucro (de acordo com a folha de dados): TO-3 (TO-204A). Invólucro: TO-3 (TO-204). RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+150°C. Número de conexões: 2. Montagem/instalação: montagem em furo passante para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Repetitive Avalanche Ratings. Tecnologia: transistor HEXFET Power MOSFET. Proteção G-S: não. Td(off): 170 ns. Idss (mín.): 25uA. Td(on): 35 ns. Quantidade por invólucro: 1. Id(imp): 48A. Vgs(th) mín.: 2V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Trr Diodo (Mín.): 1600 ns. Dissipação de potência máxima: 150W. Proteção dreno-fonte: diodo Zener. Tensão porta/fonte Vgs: 20V.