Fuji Electric 2SK1217 MOSFET de Canal N 900V 8A 1.5 Ohm TO-3PF

Descrição técnica do produto (2SK1217):

Tensão Vds(max): 900V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 8A. Resistência de condução Rds(on): 1.5 Ohms. Invólucro (de acordo com a folha de dados): TO-3PF. Invólucro: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+150°C. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: Montagem em furo passante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Baixa potência de acionamento, comutação de alta velocidade. Tecnologia: V-MOS. Proteção G-S: não. Td(off): 300 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 50 ns. Quantidade por caixa: 1. Id(imp): 23A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 1400pF. C(out): 200pF. Trr Diodo (Min.): 1000 ns. Pd (Dissipação de potência, máx): 100W. Proteção dreno-fonte: diodo. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.