FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V

FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V

Quantidade
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1-4
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5-24
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FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 10uA. RM (máx.): 200uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 14:35

Documentação técnica (PDF)
FR607
20 parâmetros
Corrente direta (AV)
6A
IFSM
200A
Carcaça
DO-201
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 )
VRRM
1000V
Cj
100pF
Diodo Trr (mín.)
500 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RM (min)
10uA
RM (máx.)
200uA
RoHS
sim
Spec info
IFSM--200Ap/8.3mS
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão direta Vf (min)
1.2V
Tensão limite Vf (máx.)
1.2V
Produto original do fabricante
Taiwan Semiconductor

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