Fairchild IRF610B Transistor MOSFET de Potência de Canal N, 200V Vds, 3.3A Id, 1.16 Ohm Rds(on), Enc

Descrição técnica do produto (IRF610B):

Tensão Vds(max): 200V. Idss (max): 3.3A. ID (T=25°C): 3.3A. ID (T=100°C): 2.1A. Resistência de condução Rds On: 1.16 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-220. Encapsulamento: TO-220. Montagem/instalação: Montagem em furo passante de PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: VGS @10V. Quantidade por caixa: 1. Pd (Dissipação de Potência, Máx): 38W