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Semicondutores Diodos
Diodos Varicap e RF

Diodos Varicap e RF

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BA182

BA182

RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça:...
BA182
RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 35V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.9V @ 100mA
BA182
RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 35V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.9V @ 100mA
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BA479G

BA479G

RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-34...
BA479G
RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-34. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.05A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 50nA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 20mA
BA479G
RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-34. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.05A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 50nA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 20mA
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BAP64-03-115

BAP64-03-115

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: S...
BAP64-03-115
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente direta [A]: 0.1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 175V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.95V @ 50mA
BAP64-03-115
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente direta [A]: 0.1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 175V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.95V @ 50mA
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BAR63-03W

BAR63-03W

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: S...
BAR63-03W
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente direta [A]: 0.1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 50V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10nA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.95V @ 100mA
BAR63-03W
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente direta [A]: 0.1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 50V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10nA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.95V @ 100mA
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BB131

BB131

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de capacitâ...
BB131
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de capacitância variável VHF. Corrente direta (AV): 20mA. RM (máx.): 200nA. RM (min): 10nA. Capacitância: 0.7pF. RoHS: sim. Banda de frequência: VHF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323 ( 1.8x1.35mm ). Temperatura operacional: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Nota: Diodo Varicap. Quantidade por caixa: 1. Capacitância: 17pF
BB131
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de capacitância variável VHF. Corrente direta (AV): 20mA. RM (máx.): 200nA. RM (min): 10nA. Capacitância: 0.7pF. RoHS: sim. Banda de frequência: VHF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323 ( 1.8x1.35mm ). Temperatura operacional: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Nota: Diodo Varicap. Quantidade por caixa: 1. Capacitância: 17pF
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BB139

BB139

Nota: Diodo Varicap...
BB139
Nota: Diodo Varicap
BB139
Nota: Diodo Varicap
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BB409

BB409

Nota: Diodo Varicap...
BB409
Nota: Diodo Varicap
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Nota: Diodo Varicap
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BBY40-215

BBY40-215

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Varicap. Cor...
BBY40-215
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Varicap. Corrente direta (AV): 20mA. Temperatura: +125°C. Capacitância: 32pF. Capacitância: 4.3pF. Banda de frequência: VHF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT23. Temperatura operacional: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Número de terminais: 3. Nota: Diodo Varicap. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Vr min 3V, 28-32pF, Vr max 25V 4.3-6pF
BBY40-215
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Varicap. Corrente direta (AV): 20mA. Temperatura: +125°C. Capacitância: 32pF. Capacitância: 4.3pF. Banda de frequência: VHF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT23. Temperatura operacional: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Número de terminais: 3. Nota: Diodo Varicap. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Vr min 3V, 28-32pF, Vr max 25V 4.3-6pF
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