Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BZX55C16V

BZX55C16V
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BZX55C16V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 16V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. VRRM: 16V. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 05:25.

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Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 16V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%
BZX79C16
Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 16V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%
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