BYV26C, SOD-57 ( Glass ), 1A, 30A, SOD-57 Glass, 600V

BYV26C, SOD-57 ( Glass ), 1A, 30A, SOD-57 Glass, 600V

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BYV26C, SOD-57 ( Glass ), 1A, 30A, SOD-57 Glass, 600V. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Condicionamento: Ammo Pack. Corrente de pulso máx.: 30A. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Dirigindo corrente: 1A. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Função: Recuperação rápida e suave. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Propriedades do semicondutor: Passivado de vidro. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tempo de reação: 30ns. Tensão de condução (tensão limite): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão limite: 2.5V. Tensão reversa máxima: 600V. Tipo de diodo: diodo retificador. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:04

Documentação técnica (PDF)
BYV26C
29 parâmetros
Carcaça
SOD-57 ( Glass )
Corrente direta (AV)
1A
IFSM
30A
Habitação (conforme ficha técnica)
SOD-57 Glass
VRRM
600V
Cj
40pF
Condicionamento
Ammo Pack
Corrente de pulso máx.
30A
Diodo Trr (mín.)
30 ns
Dirigindo corrente
1A
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Função
Recuperação rápida e suave
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Propriedades do semicondutor
Passivado de vidro
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
IFSM--30Ap, t=10ms
Temperatura operacional
-65...+175°C
Tempo de reação
30ns
Tensão de condução (tensão limite)
2.5V
Tensão direta Vf (min)
1.3V
Tensão limite Vf (máx.)
2.5V
Tensão limite
2.5V
Tensão reversa máxima
600V
Tipo de diodo
diodo retificador
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors

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