Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BC516

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BC516. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 3000. Corrente do coletor: 0.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: transistor complementar (par) BC517. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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