BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

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BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Carcaça: SOT-323. Carcaça (padrão JEDEC): -. Corrente direta (AV): 200mA. Corrente direta [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT323. VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 30nA..150uA. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Estrutura dielétrica: ânodo comum. Família de componentes: diodo duplo de pequeno sinal, Montagem em superfície (SMD). Função: Ultra High Speed Switching. Ism [A]: 4A. Marcação na caixa: A1. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia / código SMD A1. Número de terminais: 2. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 2. RM (min): 0.15uA. RM (máx.): 50uA. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 90V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:01

Documentação técnica (PDF)
BAW56W
34 parâmetros
Carcaça
SOT-323
Corrente direta (AV)
200mA
Corrente direta [A]
0.15A
IFSM
1A
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT323
VRRM
85V
Cj
2pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
30nA..150uA
Diodo Trr (mín.)
4 ns
Estrutura dielétrica
ânodo comum
Família de componentes
diodo duplo de pequeno sinal, Montagem em superfície (SMD)
Função
Ultra High Speed Switching
Ism [A]
4A
Marcação na caixa
A1
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia / código SMD A1
Número de terminais
2
Número de terminais
3
Quantidade por caixa
2
RM (min)
0.15uA
RM (máx.)
50uA
RoHS
sim
Spec info
Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
90V
Tensão direta Vf (min)
0.715V
Tensão limite Vf (máx.)
1.25V
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
4 ns
[V]
0.855V @ 10mA
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors
Quantidade mínima
10