BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0322€
50-99
0.0272€
100-249
0.0239€
250+
0.0201€
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Mín.: 10

BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. VRRM: 250V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.25A. Corrente direta (AV): 0.25A. Corrente direta [A]: 0.25A. IFSM: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Capacitância: 1.5pF. Cj: 5pF. Condicionamento: Ammo Pack. Configuração de diodo: independente. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 100nA..15uA. Corrente de fuga reversa: 100nA / 200V. Corrente de pulso máx.: 1A. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Embalagem: Ammo Pack. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Função: Diodos de uso geral. Informação: -. Ism [A]: 1A. MSL: -. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Série: BAV. Temperatura máxima: +200°C.. Tempo de reação: 50ns. Tempo de recuperação reversa (máx.): 50ns. Tensão de condução (tensão limite): 1V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensão direta (máx.): <1.0V / 0.1A. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão limite: 1V, 1.1V. Tensão reversa máxima: 250V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de montagem: THT. Tipo de semicondutor: diodo. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 50 ns. [V]: 1V @ 100mA. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:15

Documentação técnica (PDF)
BAV21
47 parâmetros
Carcaça
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
250V
Corrente Média Retificada por Diodo
0.25A
Corrente direta (AV)
0.25A
Corrente direta [A]
0.25A
IFSM
1A
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-35
Capacitância
1.5pF
Cj
5pF
Condicionamento
Ammo Pack
Configuração de diodo
independente
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
100nA..15uA
Corrente de fuga reversa
100nA / 200V
Corrente de pulso máx.
1A
Diodo Trr (mín.)
50 ns
Embalagem
Ammo Pack
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Família de componentes
Diodo de silício de pequeno sinal
Função
Diodos de uso geral
Ism [A]
1A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Série
BAV
Temperatura máxima
+200°C.
Tempo de reação
50ns
Tempo de recuperação reversa (máx.)
50ns
Tensão de condução (tensão limite)
1V
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
200V
Tensão direta (máx.)
<1.0V / 0.1A
Tensão direta Vf (min)
1V
Tensão limite Vf (máx.)
1.25V
Tensão limite
1V, 1.1V
Tensão reversa máxima
250V
Tipo de diodo
diodo de comutação
Tipo de montagem
THT
Tipo de semicondutor
diodo
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
50 ns
[V]
1V @ 100mA
Produto original do fabricante
Vishay
Quantidade mínima
10