BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V

BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V

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BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Corrente de pulso máx.: 5A. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Dirigindo corrente: 0.65A. Embalagem: Ammo Pack. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Função: Diodos de uso geral. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Potência: 0.5W. Propriedades do semicondutor: comutação super rápida. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Tempo de reação: 50ns. Tensão de condução (tensão limite): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão reversa máxima: 150V. Tipo de diodo: diodo retificador. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:15

Documentação técnica (PDF)
BAV20
29 parâmetros
Carcaça
DO-35 ( SOD27 )
Corrente direta (AV)
0.25A
IFSM
1A
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-35
VRRM
200V
Cj
1.5pF
Corrente de pulso máx.
5A
Diodo Trr (mín.)
50 ns
Dirigindo corrente
0.65A
Embalagem
Ammo Pack
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Função
Diodos de uso geral
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Potência
0.5W
Propriedades do semicondutor
comutação super rápida
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C
Tempo de reação
50ns
Tensão de condução (tensão limite)
1V
Tensão direta Vf (min)
1V
Tensão limite Vf (máx.)
1.25V
Tensão reversa máxima
150V
Tipo de diodo
diodo retificador
Produto original do fabricante
Vishay
Quantidade mínima
10

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