BAT43, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. VRRM: 30 v. Corrente direta (AV): 0.2A. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. IFSM: 4A. Corrente direta [A]: 0.2A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Cj: 7pF. Configuração de diodo: independente. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.5uA..100uA. Corrente de fuga reversa: 0.5uA / 25V. Corrente de pulso máx.: 4A. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Família de componentes: Diodo Schottky de pequeno sinal. Informação: -. Ism [A]: 4A. MSL: n/a. Material semicondutor: Sb. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 0.5uA. RM (máx.): 100uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Série: BAT4. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tempo de reação: 5ns. Tempo de recuperação reversa (máx.): 5ns. Tensão de condução (tensão limite): 0.45V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensão direta (máx.): <0.33V / 2mA. Tensão direta Vf (min): 0.26V. Tensão limite Vf (máx.): 0.46V. Tensão limite: 450mV, 0.45V. Tensão reversa máxima: 30V. Tipo de diodo: Diodo retificador Schottky. Tipo de montagem: THT. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. [V]: 0.45V @ 15mA. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:18