BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A

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BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): -. VRRM: 100V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Corrente direta [A]: 0.2A. Configuração de diodo: independente. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1uA..30uA. Corrente de fuga reversa: 1uA / 100V. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Informação: -. Ism [A]: 36A. MSL: -. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Série: BAS. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de recuperação reversa (máx.): 6ns. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 75V. Tensão direta (máx.): 1.25V / 0.15A. Tipo de diodo: Switching. Tipo de montagem: SMD. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 6 ns. [V]: 0.855V @ 50mA. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:12

Documentação técnica (PDF)
BAS16LT1G
22 parâmetros
Carcaça
SOT-23
VRRM
100V
Corrente Média Retificada por Diodo
0.2A
Corrente direta [A]
0.2A
Configuração de diodo
independente
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
1uA..30uA
Corrente de fuga reversa
1uA / 100V
Família de componentes
Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD)
Ism [A]
36A
Número de terminais
3
RoHS
sim
Série
BAS
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de recuperação reversa (máx.)
6ns
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
75V
Tensão direta (máx.)
1.25V / 0.15A
Tipo de diodo
Switching
Tipo de montagem
SMD
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
6 ns
[V]
0.855V @ 50mA
Produto original do fabricante
Onsemi