BAS16GEG, SOT23
Quantidade
Preço unitário
10-19
0.0384€
20+
0.0359€
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BAS16GEG, SOT23. Carcaça: SOT23. Corrente de pulso máx.: 4A. Dirigindo corrente: 100mA. Estrutura semicondutora: diodo. Montagem/instalação: SMD. Propriedades do semicondutor: Comutação de alta velocidade. RoHS: não. Tempo de reação: 4ns, 6ns. Tensão de condução (tensão limite): 1.25V. Tensão limite: 1V, 1.25V. Tensão reversa máxima: 100V, 75V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de semicondutor: diodo. Produto original do fabricante: Nxp. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 16:56
BAS16GEG
15 parâmetros
Carcaça
SOT23
Corrente de pulso máx.
4A
Dirigindo corrente
100mA
Estrutura semicondutora
diodo
Montagem/instalação
SMD
Propriedades do semicondutor
Comutação de alta velocidade
RoHS
não
Tempo de reação
4ns, 6ns
Tensão de condução (tensão limite)
1.25V
Tensão limite
1V, 1.25V
Tensão reversa máxima
100V, 75V
Tipo de diodo
diodo de comutação
Tipo de semicondutor
diodo
Produto original do fabricante
Nxp
Quantidade mínima
10