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BA479G Diodo PIN de Silício, Encapsulamento DO-34, 30V Vrrm, 50nA Ir, Montagem de Furo Passante
Referência do produto : BA479G
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Descrição técnica do produto (BA479G):
RoHS: Não. Número de terminais: 2. Encapsulamento: DO-34. Corrente de fuga inversa Ir [A]: 50nA. Corrente direta If [A]: 0.05A. Configuração: Montagem de furo passante para placa de circuito impresso. Temperatura máxima: +125°C. Família de componentes: Diodo PIN de silício. Tensão inversa de pico repetitiva Vrrm [V]: 30 V. Tensão direta Vf [V]: 1V @ 20mA.