Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK3502-01MR

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2SK3502-01MR. C (pol.): 1200pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 0.75us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 40A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 16:25.

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C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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