Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK3114. C (pol.): 550pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1.3us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: MOSFET de comutação de energia, uso industrial . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 16:25.

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C (pol.): 1300pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2545. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 45 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim
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