1N5404, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 400V

1N5404, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 400V

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1N5404, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 400V. Carcaça: DO-27. Carcaça (padrão JEDEC): -. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Corrente direta [A]: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 40pF. Condicionamento: Ammo Pack. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10uA. Corrente de pulso máx.: 180A. Corrente de vazamento: 5uA. Diodo Trr (mín.): 5us. Dirigindo corrente: 30A. Embalagem: Ammo Pack. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Ism [A]: 200A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 5uA. RM (máx.): 500uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tempo de reação: 1.5us. Tensão de condução (tensão limite): 1.2V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 400V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão limite: 1.2V. Tensão reversa máxima: 400V. Tipo de diodo: diodo retificador. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: -. [V]: 1.2V @ 3A. Produto original do fabricante: Dc Components Co. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 14:24

Documentação técnica (PDF)
1N5404
41 parâmetros
Carcaça
DO-27
Corrente direta (AV)
3A
IFSM
200A
Corrente direta [A]
3A
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-27 ( 9.2x5.2mm )
VRRM
400V
Cj
40pF
Condicionamento
Ammo Pack
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
10uA
Corrente de pulso máx.
180A
Corrente de vazamento
5uA
Diodo Trr (mín.)
5us
Dirigindo corrente
30A
Embalagem
Ammo Pack
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Família de componentes
Diodo retificador padrão
Ism [A]
200A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RM (min)
5uA
RM (máx.)
500uA
RoHS
sim
Spec info
IFSM--200Ap t=8.3ms
Temperatura máxima
+175°C.
Temperatura operacional
-65...+175°C
Tempo de reação
1.5us
Tensão de condução (tensão limite)
1.2V
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
400V
Tensão direta Vf (min)
1.1V
Tensão limite Vf (máx.)
1.1V
Tensão limite
1.2V
Tensão reversa máxima
400V
Tipo de diodo
diodo retificador
[V]
1.2V @ 3A
Produto original do fabricante
Dc Components Co
Quantidade mínima
10