Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N5396. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: alta capacidade de corrente, baixa queda de tensão direta. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Produto original do fabricante Diodes Inc.. Quantidade em estoque atualizada em 31/07/2025, 13:25.

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Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: alta capacidade de corrente, baixa queda de tensão direta. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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